diode hétéro-épitaxiale — įvairialytis epitaksinis diodas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hetero epitaxial diode vok. heteroepitaxiale Diode, f rus. гетероэпитаксиальный диод, m pranc. diode hétéro épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
heteroepitaxiale Diode — įvairialytis epitaksinis diodas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hetero epitaxial diode vok. heteroepitaxiale Diode, f rus. гетероэпитаксиальный диод, m pranc. diode hétéro épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
įvairialytis epitaksinis diodas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hetero epitaxial diode vok. heteroepitaxiale Diode, f rus. гетероэпитаксиальный диод, m pranc. diode hétéro épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
гетероэпитаксиальный диод — įvairialytis epitaksinis diodas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hetero epitaxial diode vok. heteroepitaxiale Diode, f rus. гетероэпитаксиальный диод, m pranc. diode hétéro épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Michael Francis Tompsett — is a British born physicist and former researcher at English Electric Valve Company, [1] who later moved to Bell Labs in America. He is best known as the inventor of Charge Coupled Device (CCD) Imagers used for imaging in devices such as digital… … Wikipedia